TW015Z120C,S1F 单 FET、MOSFET_富佳诚电子_A BEST TRADE_集成电路_储存器_嵌入式处理器_嵌入式控制器

ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 的技术规格、属性、参数和部件与 ABLIC U.S.A. Inc. S-1132B33-I6T2U 具有相似规格。

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包装	管子
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-247-4
安装类型	Through Hole
工作温度	175°C
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
功耗（最大）	431W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	5V @ 11.7mA
供应商设备包	TO-247-4L(X)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	18V
Vgs（最大）	+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)	1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	158 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	6000 pF @ 800 V

运输费

运费起价 40 美元，但某些国家/地区的运费会超过 40 美元。例如（南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等）
基本运费（包裹≤0.5公斤或相应体积）取决于时区和国家。

邮寄方式

目前，我们的产品通过 DHL、FedEx、SF 和 UPS 运输。

交货时间

货物发货后，预计交货时间取决于您选择的运输方式：

联邦快递国际，5-7 个工作日。

以下是一些常见国家的物流时间。

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